具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置
实质审查的生效
摘要
一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：衬底；导电板，其位于所述衬底上方以耦合接地连接；数据线，其位于所述衬底与所述导电板之间；存储器单元；及导线。所述存储器单元包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管包含电耦合于所述数据线与所述导电板之间的第一区域及与所述第一区域电分开的电荷存储结构。所述第二晶体管包含电耦合到所述电荷存储结构及所述数据线的第二区域。所述导线与所述第一区域及所述第二区域电分开且横跨所述第一晶体管的所述第一区域的部分及所述第二晶体管的所述第二区域的部分，且形成所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极。
基本信息
专利标题 ：
具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365221A
申请号 ：
CN202080060550.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K·M·考尔道K·萨尔帕特瓦里刘海涛D·V·N·拉马斯瓦米
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202080060550.6
主分类号 ：
G11C11/403
IPC分类号 ：
G11C11/403 H01L27/11556 H01L27/11582
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/403
对多个存储单元共同进行电荷再生的，即，外部刷新
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/403
申请日 : 20200826
申请日 : 20200826
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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