共晶装置及晶体管封装共晶系统
授权
摘要
本发明提供了一种共晶装置及晶体管封装共晶系统，该共晶装置包括晶圆吸取结构、待共晶产品吸取结构、预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构，晶圆吸取结构用于吸取晶圆，待共晶产品吸取结构用于吸取待共晶产品，预热结构用于预热待共晶产品，共晶加热平台用于加热晶圆和待共晶产品，共晶识别结构用于在共晶过程中进行拍照，预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构的数量均为两个，两个预热结构分别与两个共晶加热平台对应设置，两个共晶识别结构对应设置于两个共晶加热平台的上方。该共晶装置能够提升共晶效率，两个预热结构的结构相同，极大地减少了预热结构加工与装配公差的影响，使得两个共晶加热平台共晶精度与共晶效果基本一致。
基本信息
专利标题 ：
共晶装置及晶体管封装共晶系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112967957A
申请号 ：
CN202110176456.3
公开（公告）日 ：
2021-06-15
申请日 ：
2021-02-07
授权号 ：
CN112967957B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
胡靖温永阔黄黎明谢少华刘盼
申请人 ：
深圳市东飞凌科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道宝田三路宝田工业区第三栋二层靠北
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙欢
优先权 ：
CN202110176456.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20210207
申请日 : 20210207
2021-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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