一种SiP封装中低热阻GaN共晶装置及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种SiP封装中低热阻GaN共晶装置及制备方法，涉及微电子工程技术领域，所述低热阻GaN共晶装置用于获得GaN微波功率芯片与热沉的共晶样品，由共晶样品与共晶系统构成，应用该装置，获得共晶样品的制备方法通过GaN微波功率芯片在高导热热沉上淀积合金层获得共晶样品，得到所需的共晶样品。本发明所提供的技术方案在传统共晶焊接设备基础上，将薄膜物理淀积与共晶结合，获得低热阻GaN共晶接头，有效降低结温，对提高GaN功率器件的寿命具有极其重要的意义。
基本信息
专利标题 ：
一种SiP封装中低热阻GaN共晶装置及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420591A
申请号 ：
CN202111616901.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
禹胜林倪思思严伟贾宁周兴金张梦亚
申请人 ：
南京信息工程大学;航天科工微系统技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市宁六路219号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
田凌涛
优先权 ：
CN202111616901.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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