半导体场效应晶体管、存储器单元和存储器设备
授权
摘要
由半导体材料的第一导电带(10)所形成的半导体设备(1；38；48)；半导体材料的控制栅极区域(7；35；55)，其面对第一导电带的沟道部分(5c)；隔离区域(6；32；52)，其被布置在第一导电带与控制栅极区域之间。第一导电带(10)包括：导电线(5)，其具有第一导电类型；控制线(4)，其具有第二导电类型，导电线(5)和控制线(4)被布置为彼此相邻并且彼此电接触，导电线(5)形成沟道部分(5c)、被布置在沟道部分的相对侧的第一导电部分(5a)和第二导电部分(5b)。
基本信息
专利标题 ：
半导体场效应晶体管、存储器单元和存储器设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101461067A
申请号 ：
CN200680054287.X
公开（公告）日 ：
2009-06-17
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
保罗·罗兰迪克里斯蒂亚诺·卡利加罗路易吉·帕斯库奇
申请人 ：
ST微电子有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉特布里安扎
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王 萍
优先权 ：
CN200680054287.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/12 H01L27/06 H01L21/822 H01L27/115
法律状态
2011-01-19 ：
授权
2009-08-12 ：
实质审查的生效
2009-06-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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