一种铁电场效应晶体管存储器件结构
公开
摘要

本发明提供一种铁电场效应晶体管存储器件结构,包括存储器件结构本体,所述存储器件结构本体包括壳体、引脚、压板和防潮板,所述壳体的表面贴装有压板,所述压板的表面设置有信息标签,所述壳体的内部设置有防护层,所述防护层的底端设置有衬底,所述壳体的底端设置有绝缘柱,所述绝缘柱的底端贴装有防潮板,所述壳体的两侧连接有多个引脚,所述引脚的末端设置有焊板,所述焊板的中间设置有锡柱,所述锡柱的侧边连接有铜条,所述壳体的表面涂抹有填充胶,所述压板通过填充胶附着在壳体的顶部,该铁电场效应晶体管存储器件结构具有高效的防伪防篡改功能,焊装时更加快捷精准,引脚安装更加统一稳固,具有一定的防潮效果。

基本信息
专利标题 :
一种铁电场效应晶体管存储器件结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420647A
申请号 :
CN202210081555.8
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孙静龚希文谢斌贺聘彬苏焱鸿钟紫晴
申请人 :
湖南工程学院
申请人地址 :
湖南省湘潭市福星东路88号
代理机构 :
广州速正专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
钟水祥
优先权 :
CN202210081555.8
主分类号 :
H01L23/057
IPC分类号 :
H01L23/057  H01L23/544  H01L23/00  H05K1/18  G11C11/40  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器;封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/053
中空容器,并有用于半导体本体安装架的绝缘基座
H01L23/057
引线平行于基座的
法律状态
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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