铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路
公开
摘要
本发明涉及一种铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路，所述存储器包括：衬底；第一绝缘层，设于衬底上；鳍体，设于第一绝缘层上；第一栅，设于第一侧，包括第一栅极和设于第一栅极和鳍体之间的第一介质层；第二栅，设于第二侧，包括第二栅极、铁电层及第二介质层，铁电层和第二介质层设于第二栅极和鳍体之间，铁电层设于第二栅极和第二介质层之间；源极，设于第一端并与鳍体连接；漏极，设于第二端并与鳍体连接。本发明利用在双栅极上给铁电层施加极化翻转电压，相当于直接对铁电层与半导体鳍体施加极化翻转电压，可以一定程度上减缓介质层与场效应管长沟道的分压的问题，进一步提高了铁电存储器的写操作速度。
基本信息
专利标题 ：
铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597219A
申请号 ：
CN202011400268.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李少平陈南翔
申请人 ：
华润微电子控股有限公司
申请人地址 ：
上海市静安区汶水路299弄11、12号第5层
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
虞凌霄
优先权 ：
CN202011400268.6
主分类号 ：
H01L27/11585
IPC分类号 ：
H01L27/11585 G11C7/12 G11C7/10 G11C11/22
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
