铁电存储器件及其制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种铁电存储器件及其制造方法，该铁电存储器件包括：锗衬底；铁电层，与锗衬底层叠设置；上电极，设置在铁电层的远离锗衬底的表面；以及氧化锆层，设置在锗衬底与铁电层之间。通过氧化锆层阻断锗衬底与铁电层的接触，从而减小漏电，有效地提升了锗基铁电器件的耐久性。
基本信息
专利标题 ：
铁电存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628583A
申请号 ：
CN202210180753.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗庆吕舒贤陈美文王博平王艳刘明
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
马苗苗
优先权 ：
CN202210180753.X
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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