铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器
授权
摘要

本实用新型公开一种铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器。其中,在铁电电容阵列的方案中,所述铁电电容阵列包括:第一极板,所述第一极板包括用于金属互连的若干第一电极,以及覆于所述若干第一电极上的第一金属内衬层;铁电介质层,所述铁电介质层覆于所述第一金属内衬层上;若干第二极板,所述第二极板包括覆于所述铁电介质层上的第二金属内衬层,以及覆于所述第二金属内衬层上的、用于金属互连的第二电极。通过共用第一极板,可方便地构成铁电电容阵列,既可提高阵列的密度,进而提高铁电存储器的容量,又可简化制备工艺流程,减少工艺步骤,降低制备成本。

基本信息
专利标题 :
铁电电容阵列、铁电存储单元和铁电存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921040260.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-03
授权号 :
CN210296378U
授权日 :
2020-04-10
发明人 :
邓袁军周长胜
申请人 :
四川省豆萁科技股份有限公司
申请人地址 :
四川省绵阳市经济技术开发区塘汛镇塘坊大道677号积家工业园2栋6层A、H号
代理机构 :
北京市天玺沐泽专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
鲍晓
优先权 :
CN201921040260.6
主分类号 :
H01L27/11507
IPC分类号 :
H01L27/11507  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11502
具有铁电体存储器电容器的
H01L27/11507
以存储器核心区为特征的
法律状态
2020-04-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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