半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器。其中，该铁电场效应晶体管包括：衬底、形成于所述衬底中的源极和漏极、位于所述衬底上且投影介于所述源极和漏极之间的绝缘层、以及在所述绝缘层上依次设置的第一铁电层、夹层、第二铁电层和栅极层，其中，所述夹层的导带底高于或等于所述第一和第二铁电层的导带底且两者之间的差值小于或等于0.3eV，所述夹层的价带顶低于或等于所述第一和第二铁电层的价带顶且两者之间的差值小于或等于0.3eV。本实施例，通过能带工程抑制电荷俘获，因此能够提高铁电层的抗疲劳特性，从而提高相应元件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器、铁电场效应晶体管和铁电薄膜电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284361A
申请号 ：
CN202111634378.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾斌建谢世昌廖敏彭强祥杨琼周益春
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道湘潭大学
代理机构 ：
深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐员兰
优先权 ：
CN202111634378.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L49/02 H01L29/51 H01L27/1159 H01L21/336
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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