一种铁电薄膜晶体管及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种铁电薄膜晶体管及其制造方法，其中，铁电薄膜晶体管包括基底，依次设置于基底上的栅极、半导体层、源极和漏极，以及，还包括位于栅极和半导体层之间的三层结构铁电介电层，三层结构铁电介电层包括设置于栅极上的第一绝缘层，设置于第一绝缘层上的介电层和设置于介电层上的第二绝缘层。其优点在于，本发明通过设置第一绝缘层和第二绝缘层解决了现有铁电薄膜晶体管可能被“击穿”和漏电流的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种铁电薄膜晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111129150A
申请号 ：
CN201911149614.5
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-11-21
授权号 ：
CN111129150B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
黄伟
申请人 ：
纳晶科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼
代理机构 ：
杭州创智卓英知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑思思
优先权 ：
CN201911149614.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/786 H01L29/51 H01L21/336
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20191121
申请日 : 20191121
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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