一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法。一种铪基铁电场效应晶体管，包括硅衬底；以及设置在所述硅衬底上的栅极，所述栅极与硅衬底之间由界面层隔开，所述栅极的两侧分别设有源极、漏极；其中，所述界面层采用氮氧化铝，所述栅极包括由下至上堆叠的HZO层和氮化钛层。本发明解决了现有铁电晶体管耐久性差的问题，还增加HPA工艺降低陷阱密度和增强Pr。
基本信息
专利标题 ：
一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520265A
申请号 ：
CN202210013629.4
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗庆彭学阳
申请人 ：
北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
史晶晶
优先权 ：
CN202210013629.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/423
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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