ZnO基透明场效应晶体管

专利权的终止

摘要

本实用新型公开的ZnO基透明场效应晶体管，包括衬底、沟道、源极、漏极、栅绝缘层、栅极和接触电极，其特征是沟道层为p－ZnO薄膜，源极和漏极是掺杂浓度为10¹⁹～10²¹cm^－3的n－ZnO薄膜。该场效应晶体管采用透明的ZnO材料作场效应晶体管的沟道层和源、漏极，避免了Si薄膜晶体管中光电子漏电流对其工作状态的影响，增加了器件的灵敏度，并且能同时工作在光学和电学模式下。ZnO薄膜的载流子迁移率比其他目前已经知道对可见光透明的半导体材料要大得多，并且具有耐高温、抗辐射性强等优点，使该场效应晶体管可以适用于高温，强辐射的环境。

基本信息

专利标题：

ZnO基透明场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720106009.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-01-29

授权号：

CN201038164Y

授权日：

2008-03-19

发明人：

叶志镇卢洋藩朱群英

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

韩介梅

优先权：

CN200720106009.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/24

法律状态

2010-08-04 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004365067
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2007201060096
申请日 : 20070129
授权公告日 : 20080319

2008-03-19 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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