绝缘栅极场效应晶体管
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种垂直功率MOSFET包括现用单元8和未用单元10。所述现用单元8在所述衬底表面上由未用单元10围绕，并且在个数上更少。所述MOSFET可以具有比全部单元都是现用的单元更低的零温度系数电流。
基本信息
专利标题 ：
绝缘栅极场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101288178A
申请号 ：
CN200580041244.3
公开（公告）日 ：
2008-10-15
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
亚当·布朗
申请人 ：
NXP股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
宋焰琴
优先权 ：
CN200580041244.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/08 H01L29/10 H01L29/788
相关图片
法律状态
2010-08-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003706560
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005800412443
公开日 : 20081015
号牌文件序号 : 101003706560
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005800412443
公开日 : 20081015
2008-12-10 ：
实质审查的生效
2008-10-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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