提高场效应晶体管柱绝缘性的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是一种处理场效应晶体管柱封装的玻璃表面，提高其绝缘性的方法，该方法是采用有机硅烷对场效应晶体管柱进行处理，处理过程为：清洗表面，有机硅烷浸泡，红外干燥，固化，抽取，再红外干燥，干燥器中干燥。本发明具有工艺过程简单，易于操作，无毒害作用的优点。玻璃表面经处理后肉眼观察不出其变化。经本法处理过的玻璃封装场效应晶体管柱电阻率可达1013欧姆·厘米以上，并具有良好的憎水性，抗湿性，耐酸性。
基本信息
专利标题 ：
提高场效应晶体管柱绝缘性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87104018A
申请号 ：
CN87104018.2
公开（公告）日 ：
1988-07-27
申请日 ：
1987-06-01
授权号 ：
CN87104018B
授权日 ：
1988-08-10
发明人 ：
胡缙昌庞金兴丁振亚
申请人 ：
武汉工业大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌珞狮路14号
代理机构 ：
湖北省专利事务所
代理人 ：
李延瑾
优先权 ：
CN87104018.2
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
1995-07-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-07-05 ：
授权
1988-08-10 ：
审定
1988-07-27 ：
公开
1988-01-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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