一种形成场效应晶体管的方法，该方法产生较浅且较陡峭的结，同时在工艺中最大化掺杂剂活化，该工艺与目前的制造技术一致。更具体地本发明增加硅衬底的顶表面的氧含量。在增加硅衬底的顶表面的氧含量之前，优选地清洁硅衬底的顶表面。硅衬底的顶表面的氧含量高于硅衬底的其它部分，但低于将阻止外延生长的量。这使得本发明能够在硅衬底的顶表面上外延生长硅层。并且，该增加的氧含量基本上将掺杂剂限制在外延硅层内，而不会移动到硅衬底中。