本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底，衬底由上至下依次包括第一衬底层、第一氧化层、重掺杂层、第二氧化层和第二衬底层，第一衬底层和第一氧化层凸出于重掺杂层的表面，第一衬底层和第二衬底层具有第一导电类型，重掺杂层具有第二导电类型；第一衬底层内形成有阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极；氧化隔离层，形成于第一衬底层和第一氧化层的两侧，且氧化隔离层的底部与重掺杂层接触；氧化隔离层外侧形成有重掺杂多晶硅区，重掺杂多晶硅区的底部与重掺杂层接触，重掺杂多晶硅区具有第二导电类型；重掺杂多晶硅区内形成有接电极。通过本发明提供的晶体管能够降低表面电场，提高击穿电压。