场效应晶体管、存算一体芯片、电路及设备

授权

摘要

本发明公开了一种具有逻辑特性与存储特性相互转换功能的场效应晶体管、存算一体芯片、电路及设备。其自下而上包括衬底、绝缘界面层、栅介质层、栅电极；所述衬底两边分别设有源极和漏极，所述栅介质层具有带正电荷氧空位的可移动离子。当栅电极施加有高频脉冲时，所述带正电荷氧空位处于被俘获状态，使得所述场效应晶体管具备逻辑特性而能够作为逻辑器件使用；当栅电极施加有低频脉冲时，所述带正电荷氧空位处于去俘获状态，使得所述场效应晶体管具备存储特性而能够作为存储器件使用。本发明可以实现逻辑特性与存储特性感相互转换并保持高性能器件状态稳定，这可用于存算一体的三维异质集成芯片。

基本信息

专利标题：

场效应晶体管、存算一体芯片、电路及设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114093935A

申请号：

CN202210065533.2

公开（公告）日：

2022-02-25

申请日：

2022-01-20

授权号：

CN114093935B

授权日：

2022-05-13

发明人：

刘欢玉虓韩根全刘艳金成吉陈佳佳

申请人：

之江实验室

申请人地址：

浙江省杭州市余杭区文一西路1818号人工智能小镇10号楼

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

邱启旺

优先权：

CN202210065533.2

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/78 H01L29/792