一种复用权重的存算一体电路

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摘要

本发明涉及一种复用权重的存算一体电路，其特征在于，包括：SRAM计算单元阵列；各SRAM计算单元包括存储单元、管T1、管T2、管T3和管T4，计算子模块包括管TN1、管TN2、管TP1、管TP2、耦合电容C1和耦合电容C2，管T1的栅极和管T3的栅极均连接存储单元的第一权重存储点，管T2的栅极和管T4的栅极均连接存储单元的第二权重存储点；耦合电容C1用于实现反输入端的输入与对应第一权重存储点的权重值的同或计算，耦合电容C2用于实现输入端的输入与对应第一权重存储点的权重值的同或计算。本发明提高了存储单元权重的利用率同时降低了权重的读写干扰。

基本信息

专利标题：

一种复用权重的存算一体电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113936717A

申请号：

CN202111535413.6

公开（公告）日：

2022-01-14

申请日：

2021-12-16

授权号：

CN113936717B

授权日：

2022-05-27

发明人：

乔树山史万武尚德龙周玉梅

申请人：

中科南京智能技术研究院

申请人地址：

江苏省南京市江宁区创研路266号麒麟人工智能产业园1号楼5层

代理机构：

北京高沃律师事务所

代理人：

王爱涛

优先权：

CN202111535413.6

主分类号：

G11C11/418

IPC分类号：

G11C11/418 G11C11/412 G06F15/78