横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
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摘要
本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括:SOI衬底,SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅;上层硅为具有两个坡面的凸台状梯形体结构;上层硅被划分为体区和漂移区,体区具有第一导电类型,漂移区具有第二导电类型;源极,形成于体区的上表面及体区的两个坡面的外沿;漏极,形成于漂移区的上表面及漂移区的两个坡面的外沿;二氧化硅层,形成于体区的上表面、漂移区的上表面以及漂移区的两个坡面上;栅极,形成于体区的两个坡面上;多晶硅场板,形成于漂移区的两个坡面上的二氧化硅层的表面。通过本发明提供的方法,能够提高栅极对沟道的控制能力,提高击穿电压。
基本信息
专利标题 :
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114429987A
申请号 :
CN202210339389.7
公开(公告)日 :
2022-05-03
申请日 :
2022-04-01
授权号 :
CN114429987B
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文
申请人 :
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 :
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 :
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 :
何智超
优先权 :
CN202210339389.7
主分类号 :
H01L29/423
IPC分类号 :
H01L29/423 H01L29/40 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-06-03 :
授权
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20220401
申请日 : 20220401
2022-05-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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