横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
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摘要
本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅；上层硅为具有两个坡面的凸台状梯形体结构；上层硅被划分为体区和漂移区，体区具有第一导电类型，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面及体区的两个坡面的外沿；漏极，形成于漂移区的上表面及漂移区的两个坡面的外沿；二氧化硅层，形成于体区的上表面、漂移区的上表面以及漂移区的两个坡面上；栅极，形成于体区的两个坡面上；多晶硅场板，形成于漂移区的两个坡面上的二氧化硅层的表面。通过本发明提供的方法，能够提高栅极对沟道的控制能力，提高击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429987A
申请号 ：
CN202210339389.7
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-04-01
授权号 ：
CN114429987B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
何智超
优先权 ：
CN202210339389.7
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/40 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20220401
申请日 : 20220401
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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