横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
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摘要
本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底；第一阱区，形成于衬底内，具有第一导电类型；第二阱区，形成于第一阱区两侧，具有第二导电类型；体区，体区一部分形成于第一阱区内，另一部分突出于第一阱区的上表面，体区具有第一导电类型；漂移区，形成于体区的两侧，包括靠近体区的第一台阶和远离体区的第二台阶，第一台阶的上表面突出于第一阱区的表面，第二台阶的上表面与第一阱区的表面齐平，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面；漏极，形成于第二台阶的上表面；栅极，形成于体区和第一台阶的上表面。通过本发明提供的晶体管能够增加耗尽区的面积，分担部分的表面电场，提高击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420760A
申请号 ：
CN202210311019.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-28
授权号 ：
CN114420760B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈潇潇
优先权 ：
CN202210311019.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/08 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220328
申请日 : 20220328
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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