场效应晶体管结构及其制作方法
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摘要
本发明实施例公开了一种场效应晶体管结构及其制作方法，该场效应晶体管结构包括：底栅电极；底栅介质层；纳米条带沟道层，所述纳米条带沟道层是由多个平行间隔开的双层石墨烯纳米条带构成，所述纳米条带沟道层覆盖于所述底栅介质层的上表面，且与所述底栅介质层的上表面接触；源极和漏极；顶栅介质层；顶栅电极。本发明实施例提供的场效应晶体管结构及其制作方法，能够在不牺牲器件开态电流的情况下，有效地减少栅介质电荷中心的影响，使器件能够有较好地关断，提升器件开关比。
基本信息
专利标题 ：
场效应晶体管结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109196651A
申请号 ：
CN201680086216.1
公开（公告）日 ：
2019-01-11
申请日 ：
2016-10-28
授权号 ：
CN109196651B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
秦旭东徐慧龙张臣雄
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
北京龙双利达知识产权代理有限公司
代理人 ：
范华英
优先权 ：
CN201680086216.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20161028
申请日 : 20161028
2019-01-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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