隧道场效应晶体管及其制作方法
授权
摘要
本发明提供了一种隧道场效应晶体管及其制作方法。所述隧道场效应晶体管包括：衬底表面垂直设置的源极和漏极，以及源极和漏极之间导电沟道区；导电沟道区外围由内向外环绕设置栅氧化层和栅极；所述导电沟道区的材料为窄带超晶格材料。
基本信息
专利标题 ：
隧道场效应晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112397581A
申请号 ：
CN202011295454.8
公开（公告）日 ：
2021-02-23
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
CN112397581B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
孔繁生周华
申请人 ：
光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202011295454.8
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L21/331 H01L29/15 H01L29/10
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-03-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2021-02-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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