隧道场效应晶体管及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本申请技术方案提供一种隧道场效应晶体管及其形成方法，所述隧道场效应晶体管包括半导体衬底；金属栅结构，位于所述半导体衬底的表面；侧墙，位于所述金属栅结构的侧壁；源极和漏极，分别位于所述金属栅结构两侧的半导体衬底中；重掺杂区，位于所述隧道场效应晶体管的沟道下方的半导体衬底中，所述重掺杂区的掺杂类型和所述源极的掺杂类型相同，且所述重掺杂区的掺杂浓度高于所述源极的掺杂浓度。本申请技术方案的隧道场效应晶体管及其形成方法可以显著提高隧道场效应晶体管的驱动电流。
基本信息
专利标题 ：
隧道场效应晶体管及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447111A
申请号 ：
CN202011195178.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王文博
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区文昌大道18号
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
刘荣娟
优先权 ：
CN202011195178.8
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L21/331 H01L29/06
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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