半导体装置形成用晶片及其制造方法、以及场效应晶体管
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明的半导体装置形成用晶片，其特征在于设有：衬底(12)、在该衬底的主面(12a)侧形成的由GaN构成的电子传输层(16)和在该电子传输层上形成的由AlGaN构成的电子供给层(18)；电子传输层的厚度为0.2～0.9μm。从而，比以往提高了截止耐压，得到较大的输出功率。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置形成用晶片及其制造方法、以及场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838432A
申请号 ：
CN200610004192.9
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
见田充郎大来英之户田典彥
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN200610004192.9
主分类号 ：
H01L29/772
IPC分类号 ：
H01L29/772 H01L21/20 H01L21/335
法律状态
2009-07-29 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-05-16 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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