集成芯片、铁电场效应晶体管(FEFET)器件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种铁电场效应晶体管(FeFET)器件。在一些实施例中，FeFET器件包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的铁电层以及沿铁电层的第一侧设置的栅电极。FeFET器件还包括沿铁电层的与第一侧相反的第二侧设置的OS沟道层和设置在OS沟道层的相反侧上的一对源极/漏极区域。FeFET器件还包括沿OS沟道层设置的2D接触层。OS沟道层具有第一掺杂类型，2D接触层具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。本申请的实施例提供了集成芯片、铁电场效应晶体管(FEFET)器件及其形成方法。
基本信息
专利标题 ：
集成芯片、铁电场效应晶体管(FEFET)器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551568A
申请号 ：
CN202210109031.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马礼修张志宇杨世海
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210109031.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/78 H01L21/336 H01L27/11585
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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