场效应晶体管器件及电池管理系统
授权
摘要
本公开提供了一种场效应晶体管器件，包括：衬底，分为第一区和第二区，以与衬底的纵向方向垂直且位于衬底的中间位置的假想线为基准，第一区位于衬底的纵向方向的上侧，第二区位于衬底的纵向方向的下侧，在第一区的衬底上形成有第一场效应晶体管结构，第一区的衬底上形成有第一栅极结构，第一栅极结构之上形成有第一源极结构，在第二区的衬底上形成有第二场效应晶体管结构，第二区的衬底上形成有第二栅极结构，第二栅极结构之下形成有第二源极结构，并且通过第一区的衬底和第二区的衬底来实现第一场效应晶体管结构的第一漏极结构和第二场效应晶体管结构的第二漏极结构相互连接。本公开还提供了场效应晶体管器件的制备方法及电池管理系统。
基本信息
专利标题 ：
场效应晶体管器件及电池管理系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022102099.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN212750897U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
乔明张发备陈勇周号
申请人 ：
珠海迈巨微电子有限责任公司
申请人地址 ：
广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室
代理机构 ：
北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李伟波
优先权 ：
CN202022102099.X
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/78 H01L21/8234 H01L21/336 H02J7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
