动态掺杂场效应晶体管和控制这种场效应晶体管的方法
公开
摘要
根据本发明构思的一方面，提供了一种场效应晶体管以及一种用于控制这种场效应晶体管的方法。该晶体管包括：半导体层；源极端子、漏极端子和单个栅极。该源极端子和该漏极端子布置在该半导体层的第一侧上，并且该栅极布置在该半导体层的与该第一侧相反的第二侧上。该栅极和该源极端子被布置成与该半导体层的第一公共区重叠，并且该栅极和该漏极端子被布置成与该半导体层的第二公共区重叠。该半导体层进一步包括与该栅极不重叠的第一间隙区和第二间隙区。该栅极被配置为引起该第一公共区和该第二公共区的静电掺杂，并且在该半导体层的沟道区中引起在该第一公共区与该第二公共区之间延伸的沟道。
基本信息
专利标题 ：
动态掺杂场效应晶体管和控制这种场效应晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530486A
申请号 ：
CN202111171559.7
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
雅利安·阿夫扎利安
申请人 ：
IMEC非营利协会
申请人地址 ：
比利时勒芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
庄锦军
优先权 ：
CN202111171559.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/10 H01L29/423 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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