纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法

纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管...

专利申请权、专利权的转移

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摘要

提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。

基本信息

专利标题：

纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1841664A

申请号：

CN200510124674.3

公开（公告）日：

2006-10-04

申请日：

2005-11-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈佳阿里·阿夫扎利－阿达卡尼克里斯蒂·卡林科费顿·阿沃利斯迪米特里·V.·塔拉平克里斯托弗·默里

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

优先权：

CN200510124674.3

主分类号：

H01L21/24

IPC分类号：

H01L21/24 H01L21/336 H01L29/78

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/24

杂质材料与半导体本体的合金化

法律状态

2017-12-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/24
登记生效日 : 20171122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-12-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/24
登记生效日 : 20171122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2010-02-17 ：

授权

2006-12-06 ：

实质审查的生效

2006-10-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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