掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元索Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρ，为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底按上述方法制造一个具有个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。
基本信息
专利标题 ：
掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86107824A
申请号 ：
CN86107824.1
公开（公告）日 ：
1987-06-03
申请日 ：
1986-11-12
授权号 ：
CN1006508B
授权日 ：
1990-01-17
发明人 ：
加藤弥三郎铃木利彦伊沢伸幸神户秀夫浜崎正治
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京品川区
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN86107824.1
主分类号 ：
H01L27/14
IPC分类号 ：
H01L27/14 C03B31/20
法律状态
2002-06-05 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-10-03 ：
授权
1990-01-17 ：
审定
1989-03-15 ：
实质审查请求
1987-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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