碳纳米管制备方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明涉及一种碳纳米管制备方法，其包括步骤：提供一基底，其具有两相对表面；旋涂一磁性流体在该基底的两相对表面以在该两相对表面分别形成一催化剂层；将该两相对表面形成有催化剂层的基底装载于一化学气相沉积反应腔内；向该反应腔内通入碳源气，进行化学气相沉积生长碳纳米管。本发明通过旋涂磁性流体在碳纳米管生长用基底上以形成催化剂层，由于旋涂法的工艺简单，且成本低，其可实现碳纳米管制备的低成本化。另外，在基底的双面均形成催化剂层，可增加碳纳米管生长有效面积以提高产率。

基本信息

专利标题：

碳纳米管制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1955112A

申请号：

CN200510100771.9

公开（公告）日：

2007-05-02

申请日：

2005-10-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

何纪壮

申请人：

鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

申请人地址：

518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510100771.9

主分类号：

C01B31/02

IPC分类号：

C01B31/02