碳纳米管交叉阵列的制备方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种制备碳纳米管交叉阵列的方法，属于碳纳米管的加工技术领域。该方法包括：将基片浸于碳纳米管溶液，碳纳米管可与基片表面或基片表面的分子吸附，待提拉基片，碳纳米管在液/固(溶液与基片)界面处，将同时受多种力作用，基片被提拉出液面时，碳纳米管将沿一定的方向排布，控制提拉速度，使基片表面溶液挥发、碳纳米管取向排列协调完成。同一基片沿两个交叉方向依次进行上述操作，实现碳纳米管定向排列，进而实现大规模碳纳米管交叉结以及交叉阵列。

基本信息

专利标题：

碳纳米管交叉阵列的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1872673A

申请号：

CN200510126086.3

公开（公告）日：

2006-12-06

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郭奥傅云义张昃刘佳黄如张兴

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

贾晓玲

优先权：

CN200510126086.3

主分类号：

C01B31/02

IPC分类号：

C01B31/02