纳米掺杂剂掺杂改性制造SrTiO<SUB>3 </SUB>压敏陶瓷材料、电阻的方法及其制造的电阻

纳米掺杂剂掺杂改性制造SrTiO_{3
发明专利申请公布后的驳回}

摘要

本发明涉及一种纳米掺杂剂掺杂改性制造SrTiO₃压敏陶瓷材料、电阻的方法及其制造的电阻，属于电器元件及其材料制造技术领域。先将SrCO₃和TiO₂按一定比例混合的粉料进行预合成，得到SrTiO₃，再在SrTiO₃中加入掺杂元素Nb、La、Ce、Y、Mn、Cu的纳米氧化物粉中的任一种或多种组成混合原料，将其混合磨细，经干燥、过筛后造粒，得到均匀分布的粉料，将粉料压制成小圆片并逐渐加热到650～850℃后保温排胶，后进一步把样品加热烧结并冷却到室温，再将烧结好的样品在马弗炉中进行二次热处理，得到SrTiO₃压敏陶瓷材料；再进行表面加工，被电极烧银，经测试后封装，得到SrTiO₃压敏电阻。具有制作工艺简单、成本较低、性能好、使用范围广，所生产电阻重复性、稳定性、一致性好；电参数值有显著改进的优点等优点。

基本信息

专利标题：

纳米掺杂剂掺杂改性制造SrTiO₃压敏陶瓷材料、电阻的方法及其制造的电阻

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1800091A

申请号：

CN200510048783.1

公开（公告）日：

2006-07-12

申请日：

2005-12-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

甘国友严继康杜景红王静郭中正孙加林陈敬超

申请人：

昆明理工大学

申请人地址：

650093云南省昆明市一二一大街文昌巷68号

代理机构：

昆明正原专利代理有限责任公司

代理人：

赛晓刚

优先权：

CN200510048783.1

主分类号：

C04B35/47

IPC分类号：

C04B35/47 C04B35/622 H01C7/10 H01C7/115 H01C17/00