场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路

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摘要

本实用新型涉及一种场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路，包括串接的压控振荡器VCO和后续驱动电路DRIVER，VCO与DRIVER之间设置有脉宽调制集成电路，VCO作为脉宽调制集成电路的信号发生装置，给其输入一个频率可变的波形信号；脉宽调制集成电路连接有分压电路和滤波电路。所述脉宽调制集成电路为集成芯片TL494。所述VCO与TL494的第3脚连接；TL494的第5脚串接有分压电路；TL494的第7脚与第12脚之间并接有滤波电路。该电路设计比较简单，具有灵活可靠、成本低廉、低频适应性优异等特性。特别适用于电磁炉、大功率焊接设备、大功率开关电源等功率变换电路中。

基本信息

专利标题：

场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720050175.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-04-04

授权号：

CN201038996Y

授权日：

2008-03-19

发明人：

毛宏建

申请人：

美的集团有限公司

申请人地址：

528300广东省佛山市顺德区北滘镇蓬莱路

代理机构：

佛山市粤顺知识产权代理事务所

代理人：

唐强熙

优先权：

CN200720050175.9

主分类号：

H02M1/08

IPC分类号：

H02M1/08 H02M7/5387