一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构
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摘要
本实用新型公开了一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构,其中元胞结构包括:碳化硅衬底,该碳化硅衬底材料的掺杂类型为第一导电类型,在碳化硅衬底的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层和第一电极;在第一导电类型半导体外延层上依次设置有第二导电类型悬浮区、第一导电类型栅极注入区、第一导电类型源极注入区,栅极注入区上设置有栅极,源极注入区上设置有源极,栅极注入区和源极注入区之间设置有极间介质,所述极间介质用于对栅极和源极进行隔离,其中所述第二导电类型悬浮区与第一导电类型源极注入区的接触部与第一导电类型源极注入区结构相同,且都设置为具有终端尖角。
基本信息
专利标题 :
一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021485861.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-24
授权号 :
CN213304144U
授权日 :
2021-05-28
发明人 :
黄兴陈欣璐陈然
申请人 :
派恩杰半导体(杭州)有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
代理机构 :
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
董世博
优先权 :
CN202021485861.0
主分类号 :
H01L29/423
IPC分类号 :
H01L29/423 H01L29/06 H01L29/08 H01L29/808
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法律状态
2021-05-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN213304144U.PDF
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