本实用新型公开了一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构，其中元胞结构包括：碳化硅衬底，该碳化硅衬底材料的掺杂类型为第一导电类型，在碳化硅衬底的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层和第一电极；在第一导电类型半导体外延层上依次设置有第二导电类型悬浮区、第一导电类型栅极注入区、第一导电类型源极注入区，栅极注入区上设置有栅极，源极注入区上设置有源极，栅极注入区和源极注入区之间设置有极间介质，所述极间介质用于对栅极和源极进行隔离，其中所述第二导电类型悬浮区与第一导电类型源极注入区的接触部与第一导电类型源极注入区结构相同，且都设置为具有终端尖角。