分离的双栅场效应晶体管

专利权的终止

摘要

一种具有至少两个栅区的半导体器件。所述器件包括提供：包括表面的衬底、衬底中的源区和衬底中的漏区。所述漏区和源区彼此分开。另外，所述器件包括在表面上的第一栅区、在表面上的第二栅区以及在表面上及第一栅区和第二栅区之间的绝缘区。所述第一栅区和第二栅区由所述绝缘区分开。第一栅区能够在衬底中形成第一沟道。所述第一沟道是从源区到漏区。第二栅区能够在衬底中形成第二沟道。所述第二沟道是从源区到漏区。

基本信息

专利标题：

分离的双栅场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101017848A

申请号：

CN200610023748.9

公开（公告）日：

2007-08-15

申请日：

2006-02-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

肖德元陈国庆陈良成李若加

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200610023748.9

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/423

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法律状态

2020-01-24 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20060206
授权公告日 : 20100811
终止日期 : 20190206

2011-12-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101239509078
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100237489
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111109

2010-08-11 ：

授权

2007-10-10 ：

实质审查的生效

2007-08-15 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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