MOS场效应晶体管的栅压温度筛选方法
专利权的终止
摘要
MOS场效应晶体管的一种筛选方法。本方法是将MOS场效应晶体管的源极和漏极短路、栅极和源极之间施加直流偏压，置于高温环境中进行老化。比较老化前后的阈电压值可判知MOS场效应晶体管的稳定性和可靠性。易于剔除性能不稳定、可靠性差的管子，而对优质正品管无损伤。具有参数反映灵敏、试验效率高、周期短、非破坏性、仪器设备简单、操作容易和节省筛选费用的优点。在当前对MOS场效应晶体管的考核尚无国家标准的情况下亦可作为例行试验方法。
基本信息
专利标题 ：
MOS场效应晶体管的栅压温度筛选方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85107886A
申请号 ：
CN85107886
公开（公告）日 ：
1987-05-06
申请日 ：
1985-10-18
授权号 ：
CN85107886B
授权日 ：
1988-02-24
发明人 ：
苗庆海刘可辛
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市郊区洪家楼5号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
王绪银
优先权 ：
CN85107886
主分类号 ：
H01L21/145
IPC分类号 ：
H01L21/145 G01R31/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/06
器件中的半导体所含有的硒或碲以游离态存在，而不是其他材料在半导体中的杂质
H01L21/14
完整器件的处理，例如用电铸加工形成势垒
H01L21/145
老化
法律状态
1990-06-06 ：
专利权的终止
1988-11-30 ：
授权
1988-02-24 ：
审定
1987-05-06 ：
公开
1986-07-02 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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