绝缘栅薄膜晶体管
授权
摘要
一种薄膜绝缘栅型场效应晶体管，具有一个表面经过阳极氧化的金属栅，一个氮化硅膜制作在栅电极与栅绝缘膜之间。为了阳极氧化，用金属材料覆盖栅电极的特定部分，然后仅将金属材料及其氧化物一起除去，形成一个金属栅的露出部分而与上面布线连接。另外，在栅电极和栅绝缘膜之间，或在基片和基片上的层之间，形成氧化铝或氮化硅层作为刻蚀的阻挡层，以防止过刻蚀，并改进元件的平整度。另外，在无“接触孔”的概念下形成接触。
基本信息
专利标题 ：
绝缘栅薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1081022A
申请号 ：
CN93104560.6
公开（公告）日 ：
1994-01-19
申请日 ：
1993-03-27
授权号 ：
CN1051882C
授权日 ：
2000-04-26
发明人 ：
山崎舜平张宏勇竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN93104560.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
相关图片
法律状态
2000-04-26 ：
授权
1996-02-21 ：
实质审查请求的生效
1994-01-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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