绝缘栅薄膜晶体管
授权
摘要

一种薄膜绝缘栅型场效应晶体管,具有一个表面经过阳极氧化的金属栅,一个氮化硅膜制作在栅电极与栅绝缘膜之间。为了阳极氧化,用金属材料覆盖栅电极的特定部分,然后仅将金属材料及其氧化物一起除去,形成一个金属栅的露出部分而与上面布线连接。另外,在栅电极和栅绝缘膜之间,或在基片和基片上的层之间,形成氧化铝或氮化硅层作为刻蚀的阻挡层,以防止过刻蚀,并改进元件的平整度。另外,在无“接触孔”的概念下形成接触。

基本信息
专利标题 :
绝缘栅薄膜晶体管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1081022A
申请号 :
CN93104560.6
公开(公告)日 :
1994-01-19
申请日 :
1993-03-27
授权号 :
CN1051882C
授权日 :
2000-04-26
发明人 :
山崎舜平张宏勇竹村保彦
申请人 :
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
肖掬昌
优先权 :
CN93104560.6
主分类号 :
H01L29/78
IPC分类号 :
H01L29/78  H01L21/336  
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法律状态
2000-04-26 :
授权
1996-02-21 :
实质审查请求的生效
1994-01-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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