层间绝缘层及薄膜晶体管的制备方法
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摘要
本发明提供一种层间绝缘层及薄膜晶体管的制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的层间绝缘层抗击穿能力较差的问题。本发明的层间绝缘层的制备方法包括：利用第一反应性气体形成氧化硅膜层和利用第二反应性气体形成氮化硅膜层，以使所形成的氮化硅膜层中的氢含量小于或者等于氧化硅膜层中的氢含量。
基本信息
专利标题 ：
层间绝缘层及薄膜晶体管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110429024A
申请号 ：
CN201910730276.8
公开（公告）日 ：
2019-11-08
申请日 ：
2019-08-08
授权号 ：
CN110429024B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
王明赵策宋威
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
柴亮
优先权 ：
CN201910730276.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/34 H01L29/786 C23C16/34 C23C16/40
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-12-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190808
申请日 : 20190808
2019-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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