一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管，包括衬底、电极、绝缘层和半导体层；所述电极分为栅电极、源电极和漏电极；所述衬底上设置有绝缘层；所述绝缘层和衬底之间设置有栅电极；所述绝缘层上设置有半导体层；所述半导体层上设置有源电极和漏电极。本实用新型半导体层的结合能较高，比较稳定，具有很高的抗偏压、抗辐射特性；制备中通过深紫外退火，起到提高整个器件性能、匹配柔性衬底温度的作用；本工艺流程具有工艺简单、可在空气中低退火温度下进行的优点，生产成本较低。
基本信息
专利标题 ：
一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920491294.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-12
授权号 ：
CN209747523U
授权日 ：
2019-12-06
发明人 ：
赵天石赵春赵策洲杨莉
申请人 ：
西交利物浦大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区仁爱路111号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
范晴
优先权 ：
CN201920491294.0
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/51 H01L21/34 B82Y10/00 B82Y30/00
法律状态
2019-12-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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