一种新型高性能ESD晶体管结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型高性能ESD晶体管结构，包括上嵌插管和下晶体管，将ESD晶体管分成上嵌插管和下晶体管两部分，将保护电路所需求的内部电阻整合于上嵌插管的内电阻盒中，而在下晶体管中则整合漏电保护层、缓冲层和导热层，当该ESD晶体管正常工作时，上嵌插管的电极杆安装于下晶体管的电极杆槽中，并与侧面的主电极连接，通过下侧的外安装条连接于整个电路中，完成保护工作，同时可通过散热孔和导热层的相互配合，降低ESD晶体管的热负荷，而需要更换电阻时，则只需将上嵌插管整个拔出，更换相应大小的电阻的上嵌插管于下晶体管中，即可完成更换，并有效降低拆卸的次数，防止外安装条在拆卸安装的过程中断裂。
基本信息
专利标题 ：
一种新型高性能ESD晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020322731.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-14
授权号 ：
CN211238233U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
陈伦森
申请人 ：
深圳市阿赛姆科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区观澜街道大布巷社区观光路1301号银星科技大厦7楼B710
代理机构 ：
广州市红荔专利代理有限公司
代理人 ：
黄国勇
优先权 ：
CN202020322731.9
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L23/32 H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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