场效晶体管结构
专利申请权、专利权的转移
摘要

一种场效晶体管结构,包含基板、源极汲极部、介电层、闸极以及闸极。源极汲极部形成于基板上,并且源极汲极部包含源极与汲极。介电层与源极汲极部形成于同一层并电性隔离源极与汲极。闸极构成与源极汲极部位于不同层。闸极构成包含闸极导电层以及闸极绝缘层,闸极导电层形成于介电层上,且闸极绝缘层形成于闸极导电层上并包覆闸极导电层。半导体层形成于闸极绝缘层上并包覆该闸极绝缘层。闸极构成介于介电层与半导体层之间。源极汲极部耦接于半导体层,且通过施加电压于闸极导电层,以于半导体层中形成通道。

基本信息
专利标题 :
场效晶体管结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921978963.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-15
授权号 :
CN210692544U
授权日 :
2020-06-05
发明人 :
廖昱程刘峻志
申请人 :
江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省淮安市淮阴区长江东路601号
代理机构 :
北京先进知识产权代理有限公司
代理人 :
邵劲草
优先权 :
CN201921978963.3
主分类号 :
H01L29/78
IPC分类号 :
H01L29/78  H01L29/10  
法律状态
2021-10-01 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20210918
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京时代全芯存储技术股份有限公司
变更后权利人 : 北京时代全芯存储技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
变更后权利人 : 100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 江苏时代芯存半导体有限公司
2021-10-01 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 29/78
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏时代全芯存储科技股份有限公司
变更后 : 北京时代全芯存储技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路601号
变更后 : 100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏时代芯存半导体有限公司
变更后 : 江苏时代芯存半导体有限公司
2020-06-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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