多柵极变化的场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置
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摘要
本发明涉及一种多柵极变化的场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置，晶体管包括位于底层的漏极外延层、位于顶层的源极层以及嵌入于漏极外延层内的源极延伸倒鳍、第一柵极与第二柵极;第一柵极排列在源极延伸倒鳍之间,第二柵极对准在源极延伸倒鳍上,第一柵极与第二柵极的两侧各形成有成对由源极层至漏极外延层内部并联的对称型沟道;优选示例中,漏极外延层在对应源极延伸倒鳍的底部部位形成屏蔽栅底部浮空反极型柱底结。本发明提供的场效晶体管架构为多柵极变化的密集化,具有衬底背面漏极与顶面源极电子流分区均匀化的效果、以及减少开槽工艺的效果。
基本信息
专利标题 ：
多柵极变化的场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113224133A
申请号 ：
CN202110486545.8
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2021-04-30
授权号 ：
CN113224133B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
任炜强
申请人 ：
深圳真茂佳半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
吴珊
优先权 ：
CN202110486545.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/10 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210430
申请日 : 20210430
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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