本发明公开了一种场发射器件结构的制造方法及场发射器件结构。该方法包括：提供作为阴极材料的N型单晶硅片；在N型单晶硅片的上表面形成图案化的光刻胶层，光刻胶层包括多个彼此间隔且呈阵列排布的光刻胶遮盖单元；对光刻胶层暴露出的待刻蚀区域进行等离子体刻蚀，等离子体刻蚀的过程包括刻蚀步和保护步，刻蚀步用于通过六氟化硫对待刻蚀区域进行刻蚀，保护步用于通过氧气对刻蚀步形成的刻蚀形貌的侧壁进行保护，通过循环交替执行刻蚀步和保护步，在每个光刻胶遮盖单元下方的N型单晶硅片上形成用于发射电子的尖锥结构；去除光刻胶层，以暴露出呈阵列排布的多个尖锥结构。实现简化工艺步骤、降低制造成本。