多极场致电子发射器件及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种多极场致电子发射器件，它形成于一绝缘层上，而该绝缘层形成于一绝缘平基片表面上，该器件至少包括：一个阴极，它具有多个伸出所述绝缘层的发射尖端；一个阳极，它形成于所述绝缘平基片的表面上，并收集从发射尖端发射的电子；一个控制电极，它形成于所述阴极与阳极之间。该器件是采用过蚀刻和定向粒子淀积方法制造的。
基本信息
专利标题 ：
多极场致电子发射器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1069828A
申请号 ：
CN92104552.2
公开（公告）日 ：
1993-03-10
申请日 ：
1992-05-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小松博志
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN92104552.2
主分类号 ：
H01J19/42
IPC分类号 ：
H01J19/42 H01J21/00 H01J9/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J19/00
H01J21/00组中包含的各种类型的真空管的零部件
H01J19/42
电极或电极组件的安装、支承、配置或绝缘
法律状态
1996-07-10 ：
专利申请的视为撤回
1993-03-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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