用于制造场致发射阴极的方法
专利权的终止
摘要
一种制造至少一个场致发射阴极结构的方法，其特征在于：a)在基片上提供至少一个孔，b)淀积至少一种第一材料以及填充至少所说孔的一部分足以形成尖头，c)淀积至少一层在电场作用下能发射电子的材料层，并且填充至少所说尖头的尖端的部分，以及d)除去该尖头底下的所说第一材料，至少使所说电子发射材料尖端的一部分露出，于是形成所说的至少一个场致发射阴极结构。
基本信息
专利标题 ：
用于制造场致发射阴极的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058295A
申请号 ：
CN91104165.6
公开（公告）日 ：
1992-01-29
申请日 ：
1991-06-18
授权号 ：
CN1021389C
授权日 ：
1993-06-23
发明人 ：
史蒂文·M·齐默尔曼
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
付康
优先权 ：
CN91104165.6
主分类号 ：
H01J1/30
IPC分类号 ：
H01J1/30 H01J19/24
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/30
冷阴极
法律状态
2011-08-03 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101092907806
IPC(主分类) : H01J 1/30
专利号 : ZL911041656
申请日 : 19910618
授权公告日 : 19930623
期满终止日期 : 20110618
号牌文件序号 : 101092907806
IPC(主分类) : H01J 1/30
专利号 : ZL911041656
申请日 : 19910618
授权公告日 : 19930623
期满终止日期 : 20110618
2002-06-12 ：
其他有关事项
1993-06-23 ：
授权
1992-04-01 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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