一种场发射阴极的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种场发射阴极的制备方法,该方法包括下列步骤:提供一基板,在该基板上沉积一金属层;对金属层表面进行氧化处理,形成一具有多个凹槽的金属氧化物层;去除多个凹槽底部的金属氧化物;通过电泳沉积方式在凹槽底部沉积碳纳米管。
基本信息
专利标题 :
一种场发射阴极的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1988101A
申请号 :
CN200510121250.1
公开(公告)日 :
2007-06-27
申请日 :
2005-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
董才士
申请人 :
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请人地址 :
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200510121250.1
主分类号 :
H01J9/02
IPC分类号 :
H01J9/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J9/00
专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法;从放电管或灯回收材料
H01J9/02
电极或电极系统的制造
法律状态
2010-03-24 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-06-25 :
实质审查的生效
2007-06-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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