一种场发射阴极的制备方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种场发射阴极的制备方法，该方法包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；在金属层表面形成多个凹槽；对金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除多个凹槽底部的金属氧化物层；在凹槽底部设置一层金属盐溶液；在凹槽底部生长碳纳米管。
基本信息
专利标题 ：
一种场发射阴极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988100A
申请号 ：
CN200510121025.8
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董才士
申请人 ：
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请人地址 ：
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510121025.8
主分类号 ：
H01J9/02
IPC分类号 ：
H01J9/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J9/00
专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法；从放电管或灯回收材料
H01J9/02
电极或电极系统的制造
法律状态
2018-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01J 9/02
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20100929
终止日期 : 20171220
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20100929
终止日期 : 20171220
2010-09-29 ：
授权
2008-07-02 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
