一种花瓣状石墨烯场发射冷阴极的制备方法
实质审查的生效
摘要
一种花瓣状石墨烯场发射冷阴极的制备方法，采用热CVD法直接生长获得石墨烯阴极。由于石墨烯片层呈取向分布，该结构具有极大的比表面积，极大提高了石墨烯的场增强因子，同时降低了石墨烯与衬底之间由于大面积接触造成的声子散射，有利于场发射过程中焦耳热的快速传导，对提高石墨烯阴极场发射的稳定性具有重要的作用。场发射测试结果显示该产品完全满足作为场发射平面显示器件所要求的发射电流密度需达到1m A/cm2以上以及X射线管要求发射电流在几毫安以上的大电流发射指标，具有巨大的应用潜力。其另一优势就是采用了Si片作为衬底，与目前的半导体加工工艺相兼容，有利于实现场发射器件的集成化、小型化。
基本信息
专利标题 ：
一种花瓣状石墨烯场发射冷阴极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334583A
申请号 ：
CN202111543668.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵宁赵志伟雷威张晓兵
申请人 ：
金陵科技学院
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区弘景大道99号
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
吕书桁
优先权 ：
CN202111543668.7
主分类号 ：
H01J9/02
IPC分类号 ：
H01J9/02 H01J9/18 C23C14/16 C23C14/24 C23C14/35 C23C16/26 C23C28/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J9/00
专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法；从放电管或灯回收材料
H01J9/02
电极或电极系统的制造
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 9/02
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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