生长碳纳米管的方法以及制造场发射装置的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供形成CNT的方法和制造使用该CNT的FED装置的方法。形成CNT的方法包括：准备其上形成有硅层的基板；在该硅层上顺序形成缓冲层和催化剂金属层；通过退火该基板通过该硅层、该缓冲层、以及该催化剂金属层之间的扩散部分形成金属硅化物畴；以及在该催化剂金属层的表面上生长CNT。
基本信息
专利标题 ：
生长碳纳米管的方法以及制造场发射装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1821067A
申请号 ：
CN200610009255.X
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴永俊金夏辰
申请人 ：
三星SDI株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200610009255.X
主分类号 ：
C01B31/02
IPC分类号 ：
C01B31/02 G09G3/20 B82B3/00
法律状态
2013-04-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101428317574
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利号 : ZL200610009255X
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20080730
终止日期 : 20120215
号牌文件序号 : 101428317574
IPC(主分类) : C01B 31/02
专利号 : ZL200610009255X
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20080730
终止日期 : 20120215
2008-07-30 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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