定向生长碳纳米管阵列的装置及方法

专利权的终止

摘要

本发明公开一种定向生长碳纳米管阵列的装置，其包括：一反应室；一具有正极与负极的直流电源；设置在该反应室内部的一与所述电源的正极相连的第一金属板；一与所述电源的负极相连且与第一金属板相平行的第二金属板；及一处于该第一金属板与第二金属板之间的基底，该基底用于形成催化剂的表面与该第二金属板相对。另，本发明还提供一种采用该装置定向生长碳纳米管阵列的方法。本发明生长碳纳米管阵列，其成本较低且易于实现碳纳米管阵列的定向生长。

基本信息

专利标题：

定向生长碳纳米管阵列的装置及方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1966402A

申请号：

CN200510101559.4

公开（公告）日：

2007-05-23

申请日：

2005-11-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

董才士

申请人：

鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

申请人地址：

518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510101559.4

主分类号：

C01B31/02

IPC分类号：

C01B31/02